Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern 1
bokomslag Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern
Vetenskap & teknik

Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern

Martin Schuster

Pocket

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  • 176 sidor
  • 2018
  • Författare: Martin Schuster
  • Format: Pocket/Paperback
  • ISBN: 9783746097817
  • Språk: Tyska
  • Antal sidor: 176
  • Utgivningsdatum: 2018-03-16
  • Förlag: BoD - Books on Demand

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