Simulation monte carlo de mosfet pour une electronique haute frequence

Le rendement consommation/frquence des futures gnrations de circuits intgrs sur silicium n'est pas satisfaisant cause de la faible mobilit lectronique et des relativement grandes tensions d'alimentation VDD requises. Ce travail se propose d'explorer numriquement les potentialits des transistors effet de champ (FET) base de matriaux III-V pour un fonctionnement en haute frquence et une ultra basse consommation.Tout d'abord, l'tude consiste analyser thoriquement le fonctionnement d'une capacit MOS III-V en rsolvant de faon auto-cohrente les quations de Poisson et Schrdinger (PS). On peut ainsi comprendre comment et pourquoi les effets extrinsques comme les tats de piges l'interface high-k/III-V dgradent les caractristiques intrinsques. Nous avons ensuite tudi plus en dtails les performances des MOSFET III-V en rgimes statiques et dynamiques sous faible VDD, l'aide du simulateur particulaire MONACO de type Monte Carlo. Les caractristiques de quatre topologies de MOSFET ont t quantitativement tudies en termes de rendement frquence/consommation et de bruit. Nous en tirons des conclusions sur l'optimisation de ces dispositifs.