Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications

Inbunden, Engelska

Av Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara

3 149 kr

Tillfälligt slut

Produktinformation

  • FormatInbunden
  • SpråkEngelska
  • Antal sidor347
  • FörlagSpringer
  • ISBN9789402408393