bokomslag Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications
Vetenskap & teknik

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications

Byung-Eun Park Hiroshi Ishiwara

Inbunden

3179:-

Funktionen begränsas av dina webbläsarinställningar (t.ex. privat läge).

Tillfälligt slut online – klicka på "Bevaka" för att få ett mejl så fort varan går att köpa igen.

  • 347 sidor
  • Författare: Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara
  • Format: Inbunden
  • ISBN: 9789402408393
  • Språk: Engelska
  • Antal sidor: 347
  • Förlag: Springer