Vetenskap & teknik
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications
Byung-Eun Park • Hiroshi Ishiwara
Inbunden
3179:-
Tillfälligt slut online – klicka på "Bevaka" för att få ett mejl så fort varan går att köpa igen.
- Format: Inbunden
- ISBN: 9789402408393
- Språk: Engelska
- Antal sidor: 347
- Förlag: Springer