Etude d'Un Modulateur lectro-Optique En Sige/Si

Les travaux prsents participent au dveloppement de composants optolectroniques dans la lire silicium s'appuyant sur les procds microlectroniques. Ils prsentent l'tude d'un modulateur de lumire la longueur d'onde de 1,3 microns, bas sur une structure de multipuits SiGe/Si dopage modul sur substrat silicium sur isolant. La structure est place dans la rgion intrinsque d'une jonction pin an de contrler la densit de trous dans les puits SiGe par l'application d'une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d'indice de rfraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L'criture d'un outil de simulation exploit en plans d'expriences a permis de dterminer les inuences respectives des paramtres de la structure sur l'efcacit du dispositif. Les tapes technologiques ont t valides sur des composants de test. Les mesures capacit-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en cohrence avec la simulation numrique. La modulation optique a t mise en vidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l'application d'une tension.