Durch anodische Auflsung erhaltene nano-porse Siliziumschichten

Das Buch gibt einen berblick ber die Eigenschaften nanoporser Siliziumstrukturen, die durch anodisches tzen von Siliziumwafern hergestellt werden, und untersucht diese. Porses Silizium bringt neue Materialeigenschaften mit sich, die sich von denen des massiven Siliziums unterscheiden. Diese neuen Eigenschaften sind von Interesse und knnen in verschiedenen Bereichen wie Optik, Optoelektronik, Sensorik und Biomedizin eingesetzt werden. Das Verstndnis der Dynamik und der Mechanismen, die am tzprozess beteiligt sind, wie z. B. die Ursache-Wirkungs-Beziehungen, die internen Wafer-Eigenschaften und die externen anodischen Bedingungen des tzprozesses, sind daher von entscheidender Bedeutung, um Technologen bei der Herstellung der gewnschten porsen Strukturen fr verschiedene Zwecke zu untersttzen. Verschiedene Siliziumwafer mit unterschiedlichen Eigenschaften werden in einer kontrollierten Umgebung mit unterschiedlichen ueren Bedingungen wie Stromdichte, Elektrolytlsungen, oberflchenaktiven Stoffen und tzzeit getzt. Es werden Zusammenhnge und Abhngigkeiten zwischen der Dicke der getzten porsen Schicht, der tzrate und der Abbaugeschwindigkeit der Strukturen und der Oberflchenmorphologie von den ueren anodischen Bedingungen hergestellt.