Diodes electroluminescentes a base de nitrure d'elements iii

Ce travail de thse est ax autour de l'tude des mcanismes d'injection et de recombinaisons radiatives et non radiatives dans les DELs base de nitrures d'lments III. Les diffrentes briques constituant leur structure ont t tudies. Aprs un premier chapitre d'introduction rappelant quelques-unes des principales caractristiques et proprits physiques des alliages (Al,Ga,In)N, le deuxime chapitre est consacr l'tude des dopages de type n et de type p. Des tudes couples lectriques/optiques ont t ralises afin d'identifier la profondeur nergtique des niveaux associs aux impurets dopantes et leur influence sur l'efficacit radiative des DELs. L'tude des contacts mtal-SC fait l'objet du troisime chapitre. Les mcanismes de recombinaisons de l'alliage (Ga,In)N, zone active des DELs, sont traits dans le quatrime chapitre par le biais de spectromtrie optique UV-visible en fonction de diffrents paramtres. Finalement, une tude des proprits opto-lectroniques des DELs est ralise dans la dernire partie. Des hypothses sur les mcanismes d'lectroluminescence sont reportes avec, notamment, la mise en vidence d'un effet tunnel diagonal radiatif.