Wzrost i charakterystyka cienkich warstw ITO metodą rozpylania magnetronowego

W tej pracy cienkie warstwy tlenku cyny indu (ITO) byy hodowane zarwno technik rozpylania magnetronowego DC jak i RF. Aby pozna szybko osadzania ITO, system zosta skalibrowany zarwno dla DCMS jak i RFMS, a nastpnie ITO byy uprawiane na szklanym podou o gruboci 70 nm i 40 nm poprzez zmian temperatury podoa. Zbadano wpyw temperatury podoa, gruboci warstwy i metody napylania na waciwoci strukturalne, elektryczne i optyczne. Wyniki pokazuj, e temperatura podoa i grubo folii znaczco wpywa na waciwoci folii, zwaszcza na krystalizacj i rezystywno. Cienkie warstwy hodowane w temperaturze niszej ni 150 oC wykazyway struktur amorficzn. Jednake, krystalizacja bya wykrywana wraz z dalszym wzrostem temperatury podoa. Szczelina pasmowa ITO zostaa obliczona na okoo 3.64eV w temperaturze podoa 150 oC i zwikszaa si wraz ze wzrostem temperatury podoa. Z pomiarw elektrycznych wynika, e rezystywno w temperaturze pokojowej wynosia 1.2810-4 i 1.2910-4 D-cm, odpowiednio dla folii napylanych prdem staym i prdem przemiennym. Zmierzylimy rwnie zaleno rezystywnoci od temperatury oraz wspczynnik Halla folii, a take obliczylimy koncentracj nonikw i ruchliwo Halla.