Crescita e caratterizzazione del film sottile di ITO mediante sputtering magnetronico

In questo studio i film sottili di ossido di indio e stagno (ITO) sono stati coltivati con tecniche di sputtering magnetronico DC e RF. Per conoscere il tasso di deposizione di ITO, il sistema stato calibrato sia per DCMS che RFMS e poi ITO cresciuto su un substrato di vetro con lo spessore di 70 nm e 40 nm cambiando la temperatura del substrato. L'effetto della temperatura del substrato, lo spessore del film e il metodo di sputtering sulle propriet strutturali, elettriche e ottiche sono stati studiati. I risultati mostrano che la temperatura del substrato e lo spessore del film influenzano sostanzialmente le propriet del film, specialmente la cristallizzazione e la resistivit. I film sottili cresciuti a temperature inferiori a 150C hanno mostrato una struttura amorfa. Tuttavia, la cristallizzazione stata rilevata con l'ulteriore aumento della temperatura del substrato. Band gap di ITO stato calcolato per essere circa 3.64eV alla temperatura del substrato di 150 oC, e si allargato con l'aumento della temperatura del substrato. Dalle misure elettriche la resistivit a temperatura ambiente stata ottenuta 1.2810-4 e 1.2910-4 D-cm, per DC e RF film sputtered, rispettivamente. Abbiamo anche misurato la resistivit in funzione della temperatura e il coefficiente di Hall dei film, e abbiamo calcolato la concentrazione dei portatori e la mobilit di Hall.