Crescimento e Caracterizao da pelcula fina ITO por Magnetron Sputtering

Neste estudo, as pelculas finas de xido de estanho ndio (ITO) foram cultivadas tanto por tcnicas de pulverizao de magnetres DC como RF. Para conhecer a taxa de deposio de ITO, os sistemas foram calibrados tanto para DCMS como para RFMS e depois as ITO foram cultivadas em substrato de vidro com a espessura de 70 nm e 40 nm por alterao da temperatura do substrato. Foi investigado o efeito da temperatura do substrato, da espessura da pelcula e do mtodo de pulverizao catdica nas propriedades estruturais, elctricas e pticas. Os resultados mostram que a temperatura do substrato e a espessura da pelcula afectam substancialmente as propriedades da pelcula, especialmente a cristalizao e a resistividade. As pelculas finas cultivadas a uma temperatura inferior a 150 oC mostraram uma estrutura amorfa. No entanto, a cristalizao foi detectada com o aumento adicional da temperatura do substrato. Calculou-se que a diferena de banda de ITO era de cerca de 3,64eV temperatura do substrato de 150 oC, e alargou-se com o aumento da temperatura do substrato. A partir de medies elctricas, a resistividade temperatura ambiente foi obtida 1,2810-4 e 1,2910-4 D-cm, para os filmes com DC e RF sputtered, respectivamente. Tambm medimos a resistividade dependente da temperatura e o coeficiente Hall dos filmes, e calculmos a concentrao portadora e a mobilidade Hall.