Viagem em direo a Nanowires

A indstria da microeletrnica avanou para o regime de nanoescala, que alcanou baixa potncia e alta velocidade de comutao em circuitos eletrnicos. De acordo com o Roadmap Internacional de Tecnologia para Semicondutores ITRS-2020, a tecnologia atual atingiu um tamanho de caracterstica de sub-10nm e se movendo em direo a 5,6nm. A fim de sustentar a reduo de escala, no s essencial desenvolver novas arquiteturas de dispositivos, mas tambm pode ser necessrio substituir o silcio. A Intel desenvolveu dispositivos baseados em transistor tri-gate a 14nm de comprimento de porta. As estruturas de transstores Multi-Gate FETs e Nanowire so encontradas adequadas abaixo do n de tecnologia de 14nm. No entanto, Nanowires Verticais desenvolvidos com materiais compostos III-V, materiais de xido de porta de alta e portes metlicos de melhor desempenho so explorados.