Voyage vers les nanofils

L'industrie microlectronique a volu vers un rgime l'chelle nanomtrique qui a permis d'obtenir une faible puissance et une vitesse de commutation leve dans les circuits lectroniques. Selon l'International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, la technologie actuelle a atteint une taille de caractristique infrieure 10 nm et se rapproche de 5,6 nm. Afin de maintenir la rduction d'chelle, il est non seulement essentiel de dvelopper de nouvelles architectures de dispositifs, mais il peut galement tre ncessaire de remplacer le silicium. Intel a mis au point des dispositifs base de transistors trois grilles d'une longueur de 14 nm. Les FET plusieurs grilles et les structures de transistor nanofils conviennent aux nuds technologiques infrieurs 14 nm. Cependant, on tudie la possibilit de dvelopper des nanofils verticaux avec des matriaux composs III-V, des matriaux d'oxyde de grille haute et des grilles mtalliques plus performantes.