Untersuchungen diffusionsinduzierter Defekte in GaP und GaSb mittels Transmissionselektronenmikroskopie

Diplomarbeit aus dem Jahr 1998 im Fachbereich Physik - Technische Physik, Note: 1,0, Christian-Albrechts-Universitt Kiel (Unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Einleitung:
Die Verbindungshalbleiter GaP und GaSb finden wegen ihrer elektronischen Eigenschaften insbesondere Anwendung in der Opto- und Mikroelektronik. Um zu einem besseren Verstndnis der zugrundeliegenden Mechanismen bei Zn-Diffusion in GaP und GaSb zu gelangen, haben wir Diffusionsexperimente durchgefhrt. Die Diffusionsglhungen wurden an versetzungsfreien, intrinsischen GaP(001)- und GaSb(001)-Wafern in Quarzglasampullen unter verschiedenen Diffusionsbedingungen durchgefhrt. Die Konzentrationsprofile wurden mittels Sekundrionenmassenspektroskopie und Elektronenmikrostrahlsonde bestimmt. Die durch die Zn-Diffusion entstehende Defektstruktur wurde mittels analytischer Transmissionselektronenmikroskopie an Querschnittsproben charakterisiert und die Oberflchen der Wafer mittels Rasterelektronenmikroskopie untersucht. Bei der Eindiffusion von Zn aus der Dampfphase kommt es zur Bildung stufenfrmiger Konzentrationsprofile, welche durch eine hohe Zn-Oberflchenkonzentration und einen steilen Abfall des Zn-Gehalts an der Diffusionsfront gekennzeichnet sind. In n-dotierten Substraten knnen damit abrupte p-n-bergnge durch Zn-Diffusion erzeugt werden. Die bei der Zn-Diffusion entstehenden Gitterbaufehler spielen hinsichtlich der industriellen Anwendung der Materialien insofern eine Rolle, als sie zu Strungen im periodischen Gitterpotential und lokalisierten Energieniveaus fhren. Die Beweglichkeit der freien Ladungstrger wird damit sehr stark durch die strukturelle Fehlordnung beeinflut, welches sich insbesondere auf die Funktiontchtigkeit von p-n-bergngen in elektronischen Bauelementen auswirkt. In GaP-Leuchtdioden fhrt die strukturelle Fehlordnung z.B. zu starker Reduzierung der Lumineszenz.


Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis:
1.Einleitung3
2.Grundlagen der Diffusionstheorie