Termodynamiczna analiza procesw wzrostu warstwy epitaksjalnej

Niniejsza praca jest powicona analizie termodynamicznej procesw fizykochemicznych wzrostu warstw epitaksjalnych zwizku pprzewodnikowego Ga2Se3 z fazy gazowej w ukadzie przepywowym Ga - Se - Cl - H oraz modelowaniu procesw technologicznych w celu prognozowania moliwych wariantw technologicznych i okrelenia optymalnych warunkw syntezy tego zwizku. Podano wyniki bada nad definiowaniem i obliczaniem parametrw termodynamicznych poszczeglnych substancji systemu Ga - Se - Cl - H, do wykorzystania przy termodynamicznym modelowaniu procesw wzrostu warstw epitaksjalnych Ga2Se3 z fazy gazowej. Zbadano zwizek pomidzy zmiennymi termodynamicznymi a parametrami technologicznymi procesu syntezy Ga2Se3 w reaktorze typu otwartego z oddzielnymi rdami galu i selenu. Zilustrowano schemat obliczenia parametrw technologicznych procesu narastania warstw epitaksjalnych Ga2Se3 w ukadzie transportu gazu przepywowego z wydzielonymi rdami galu i selenu.