Anlise termodinmica dos processos de crescimento da camada epitaxial

O presente trabalho dedicado anlise termodinmica dos processos fsico-qumicos de crescimento das camadas epitaxiais do composto semicondutor Ga2Se3 a partir da fase gasosa no sistema de fluxo Ga - Se - Cl - H e modelao de processos tecnolgicos para previso de possveis variantes tecnolgicas e determinao de condies ptimas para a sntese deste composto. So apresentados os resultados das pesquisas de definio e clculo dos parmetros termodinmicos de substncias individuais do sistema Ga - Se - Cl - H, para a sua utilizao na modelao termodinmica dos processos de crescimento das camadas epitaxiais de Ga2Se3 a partir de uma fase gasosa. investigada a ligao entre variveis termodinmicas e parmetros tecnolgicos do processo de sntese Ga2Se3 em reactor de tipo aberto com fontes separadas de glio e selnio. O esquema de clculo dos parmetros tecnolgicos do processo de crescimento das camadas epitaxiais de Ga2Se3 no sistema de transporte de gs de fluxo com fontes separadas de glio e selnio ilustrado.