Simulacin ab initio del silicio amorfo poroso

El objetivo de este proyecto es el de estudiar algunas de las propiedades del silicio amorfo poroso (ap-Si) mediante tcnicas de la dinmica molecular ab initio. Entre las propiedades topolgicas del ap-Si obtenidas se encuentran su funcin de distribucin radial, el nmero de enlaces sueltos por celda de simulacin, as como la separacin entre los primeros vecinos de silicio. Por otra parte, la densidad de estados, brecha electrnica y energa de Fermi son las propiedades electrnicas que se reportan. Las propiedades pticas calculadas son brecha ptica, coeficiente de absorcin y espectro de emisin del material. Este trabajo es el primero en su tipo, pues rene simulaciones de estructuras peridicas de silicio ap-Si que por el gran nmero de tomos que involucran, no se haban generado con anterioridad. Los resultados permiten obtener las propiedades del ap-Si, que a la fecha es difcil de fabricar en el laboratorio.