Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices
Inbunden, Engelska, 2016
Av Yue Hao, Jin Feng Zhang, Jin Cheng Zhang, PR of China) Hao, Yue (Xidian University, Xi'an, PR of China) Zhang, Jin Feng (Xidian University, Xi'an, PR of China) Zhang, Jin Cheng (Xidian University, Xi'an
3 139 kr
Beställningsvara. Skickas inom 7-10 vardagar
Fri frakt för medlemmar vid köp för minst 249 kr.Finns i fler format (1)
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.
Produktinformation
- Utgivningsdatum2016-10-03
- Mått178 x 254 x 22 mm
- Vikt884 g
- FormatInbunden
- SpråkEngelska
- Antal sidor392
- FörlagTaylor & Francis Inc
- ISBN9781498745123
Tillhör följande kategorier
Hoppa över listan