Hoppa till sidans huvudinnehåll

Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

Häftad, Engelska, 2020

AvYue Hao,Jin Feng Zhang,Jin Cheng Zhang

859 kr

Beställningsvara. Skickas inom 10-15 vardagar. Fri frakt för medlemmar vid köp för minst 249 kr.

Finns i fler format (1)


This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.

Produktinformation

  • Utgivningsdatum2020-06-30
  • Mått178 x 254 x 21 mm
  • Vikt771 g
  • FormatHäftad
  • SpråkEngelska
  • Antal sidor392
  • FörlagTaylor & Francis Ltd
  • ISBN9780367574369
Hoppa över listan

Mer från samma författare

High Power Hadron Accelerators

Jie Wei, Leo R. Dalesio, Alberto Facco, Venkatarao Ganni, Yue Hao, Peter N. Ostroumov, Ting Xu, Yoshishige Yamazaki

Inbunden

1 869 kr

Hoppa över listan

Du kanske också är intresserad av

High Power Hadron Accelerators

Jie Wei, Leo R. Dalesio, Alberto Facco, Venkatarao Ganni, Yue Hao, Peter N. Ostroumov, Ting Xu, Yoshishige Yamazaki

Inbunden

1 869 kr