Vetenskap & teknik
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Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS
Rajesh T V • Jagadeesh Chandra S V • V V Ramana Ch
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I dielettrici ad alta permittività e i substrati adatti sono oggetto di studi intensivi in vista del loro utilizzo nella progettazione VLSI. Tuttavia, l'ossido di afnio (HfO2) è un candidato promettente per la prossima generazione di dielettrici di gate grazie alla sua costante dielettrica relativamente alta 25 , all'ampio bandgap, alla buona stabilità termica e all'energia libera di reazione relativamente alta con il materiale del substrato. Recentemente, i dispositivi elettronici basati sul Ge hanno riguadagnato una notevole attenzione e il Ge può fornire soluzioni ai principali problemi che la tecnologia Si sta affrontando per i dispositivi CMOS avanzati; ciò è dovuto principalmente alla maggiore mo-bilità sia delle buche che degli elettroni nel substrato Ge. Questo libro è quindi utile ai lettori per conoscere alcuni aspetti significativi della tecnologia Ge per i dispositivi ad alta frequenza.
- Format: Pocket/Paperback
- ISBN: 9786206433811
- Språk: Engelska
- Antal sidor: 68
- Utgivningsdatum: 2023-09-08
- Förlag: Edizioni Sapienza