bokomslag Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS
Vetenskap & teknik

Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS

Rajesh T V Jagadeesh Chandra S V V V Ramana Ch

Pocket

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  • 68 sidor
  • 2023
I dielettrici ad alta permittività e i substrati adatti sono oggetto di studi intensivi in vista del loro utilizzo nella progettazione VLSI. Tuttavia, l'ossido di afnio (HfO2) è un candidato promettente per la prossima generazione di dielettrici di gate grazie alla sua costante dielettrica relativamente alta 25 , all'ampio bandgap, alla buona stabilità termica e all'energia libera di reazione relativamente alta con il materiale del substrato. Recentemente, i dispositivi elettronici basati sul Ge hanno riguadagnato una notevole attenzione e il Ge può fornire soluzioni ai principali problemi che la tecnologia Si sta affrontando per i dispositivi CMOS avanzati; ciò è dovuto principalmente alla maggiore mo-bilità sia delle buche che degli elettroni nel substrato Ge. Questo libro è quindi utile ai lettori per conoscere alcuni aspetti significativi della tecnologia Ge per i dispositivi ad alta frequenza.

  • Författare: Rajesh T V, Jagadeesh Chandra S V, V V Ramana Ch
  • Format: Pocket/Paperback
  • ISBN: 9786206433811
  • Språk: Engelska
  • Antal sidor: 68
  • Utgivningsdatum: 2023-09-08
  • Förlag: Edizioni Sapienza