Vetenskap & teknik
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Papel do recozimento na engenharia de interface em dispositivos Ge MOS
Rajesh T V • Jagadeesh Chandra S V • V V Ramana Ch
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Os dieléctricos de elevada permissividade e os substratos adequados estão a ser intensamente estudados tendo em vista a sua utilização na conceção de VLSI. No entanto, o óxido de háfnio (HfO2) é um candidato promissor para a próxima geração de dieléctricos de porta, devido à sua constante dieléctrica relativamente elevada 25 , ao seu grande intervalo de banda, à sua boa estabilidade térmica e à sua energia livre de reação relativamente elevada com o material do substrato. Recentemente, os dispositivos electrónicos baseados em Ge voltaram a receber uma atenção considerável e o Ge pode fornecer soluções para os principais problemas que a tecnologia Si enfrenta nos dispositivos CMOS avançados; isto deve-se principalmente à maior mobilidade dos buracos e dos electrões no substrato Ge. Assim, este livro é útil para os leitores conhecerem algumas questões importantes sobre a tecnologia Ge para dispositivos de alta frequência.
- Format: Pocket/Paperback
- ISBN: 9786206433828
- Språk: Engelska
- Antal sidor: 68
- Utgivningsdatum: 2023-09-08
- Förlag: Edicoes Nosso Conhecimento