Mikrowellenplasmauntersttzte Prozesse fr Anwendungen in der Halbleitertechnologie.

In dieser Arbeit werden verschiedene Mikrowellenplasmauntersttzte Prozesse untersucht. Es werden tz- und Abscheideprozesse erforscht, die in der Halbleitertechnologie ntig sind. Dabei wird darauf geachtet, dass die Prozesstemperatur sehr gering ist. Durch die in der Arbeit untersuchten plasmauntersttzten Prozesse, kann eine epitaktische Siliziumschicht bereits bei 450 C abgeschieden werden.