Euf Litografiya Na Dline Volny 13,5 NM

Proektsionnaya litografiya s dlinoy volny 193 nm v nastoyashchee vremya yavlyaetsya klyuchevoy tekhnologiey pri proizvodstve elementov mikroelektroniki s pomoshch'yu kotoroy osushchestvlyaetsya "zapis'" topologicheskogo risunka na fotoreziste s posleduyushchim proyavleniem. Blagodarya primeneniyu razlichnykh metodov uluchsheniya izobrazheniy razreshenie litograficheskikh ustanovok uzhe prevzoshlo difraktsionnyy predel i dostigaet 32 nm. Tsenoy etogo yavlyaetsya ogranichennyy nabor topologiy, snizhenie proizvoditel'nosti i dorogovizna litograficheskogo protsessa. Ekonomicheski vygodnoe osvoenie tekhnologicheskikh norm 10-30 nm svyazyvaetsya s litografiey ekstremal'nogo ul'trafioletovogo (EUF) diapazona, v kotorom osnovoy opticheskikh elementov yavlyayutsya mnogosloynye interferentsionnye struktury (MIS). Nesmotrya na uspekhi, podtverdivshie perspektivy EUF litografii dlya formirovaniya nanostruktur, na puti k kommercheskomu litografu na 13,5 nm predstoit reshit' eshchye ryad nauchnykh i tekhnologicheskikh problem. V dannoy rabote predlagayutsya metody diagnostiki i optimizatsii MIS, izuchayutsya chuvstvitel'nost' i razreshenie EUF rezistov, istochniki EUF izlucheniya, polucheny pervye izobrazheniya metodom kontaktnoy litografii.