bokomslag Deep Level Defects in Electron-Irradiated Aluminum Gallium Nitride Grown by Molecular Beam Epitaxy
Psykologi & pedagogik

Deep Level Defects in Electron-Irradiated Aluminum Gallium Nitride Grown by Molecular Beam Epitaxy

Michael R Hogsed Michael R Hogsed

Pocket

829:-

Funktionen begränsas av dina webbläsarinställningar (t.ex. privat läge).

Uppskattad leveranstid 7-12 arbetsdagar

Fri frakt för medlemmar vid köp för minst 249:-

  • 2012
  • Författare: Michael R Hogsed, Michael R Hogsed
  • Format: Pocket/Paperback
  • ISBN: 9781286861233
  • Språk: Engelska
  • Utgivningsdatum: 2012-10-26
  • Förlag: Biblioscholar