Comportement Des Diodes Lors D v nements Transitoires Rapides

Les travaux dvelopps dans cette thse concernent l'tude, la caractrisation et la modlisation du comportement des diodes lors d'vnements transitoires rapides de type ESD. Dans un premier temps, un nouveau banc de mesure capable de fournir rapidement des rsultats sur le comportement des structures de protections ESD lors d'un vnement transitoire trs rapide a t dvelopp : le VF-TCS - Very Fast Transient Characterization System. Ce systme permet d'tudier le comportement transitoire, dans des gammes de temps propres au CDM, des structures de protection que sont la diode, le GGNMOS, la protection centrale et le thyristor. Dans un deuxime temps, un nouveau modle compact de diode capable de retranscrire avec prcision son comportement lors d'un vnement transitoire trs rapide a t dvelopp. Les concepteurs ont dsormais des rsultats de simulations fiables mettant en exergue les faiblesses potentielles de leurs stratgies de protection, notamment en ce qui concerne les surtensions ventuelles pouvant constituer un danger pour le circuit protger.