Berhrungslose Defektanalytik von Halbleitermaterialien

Die hochempfindliche Methode der Microwave Detected Photoconductivity" (MDP) wird eingesetzt, um technologisch relevante Halbleiterparameter wie die Ladungstrgerlebensdauer, Photoleitfhigkeit und Defektkonzentrationen ber viele Grenordnungen der optischen Anregung hinweg zu untersuchen. Durch die Entwicklung und die Anwendung eines neuartigen Modellierungssystems fr die Ladungstrgerdynamik in Halbleitern knnen wichtige Defektparameter quantitativ aus MDP Messungen in Abhngigkeit der Anregungsintensitt bestimmt werden. Ein Verfahren zur Charakterisierung von Haftstellen (Konzentration, Energielage, Einfangsquerschnitt) bei konstanter Temperatur wird vorgestellt. Das technologisch relevante Verfahren des quantitativen Eisennachweises in p-dotiertem Silizium wird fr die MDP Methode angepasst und entsprechende Messergebnisse mit DLTS Resultaten verglichen. Ein detaillierter Vergleich der gngigsten kontaktlosen Messverfahren QSSPC und MW-PCD mit der MDP zeigt, dass entgegen gngiger Annahmen die unterschiedlichen Anregungsbedingungen zu drastischen Unterschieden in den gemessenen Werten der Ladungstrgerlebensdauer fhren.