Benetzung von flssigem Helium auf Csium und oxidiertem Csium

Diplomarbeit aus dem Jahr 1998 im Fachbereich Physik - Experimentalphysik, Note: 1,7, Universitt Konstanz (Unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Einleitung:
Ziel dieser Arbeit war es, ein besseres Verstndnis der Benetzungseigenschaften von flssigem Helium zu erhalten.
Ganz allgemein sind Benetzungseigenschaften von groem technischem Interesse. Beispiele hierfr sind das Aufbringen von Farbe auf eine Oberflche oder die Herstellung immer kleiner Strukturen in der Halbleiterindustrie. All diese Systeme sind aber sehr komplex und sowohl theoretisch als auch experimentell nicht leicht zugnglich. Als Flssigkeit zur Untersuchung der Benetzungseigenschaften zeichnet sich in dieser Hinsicht flssiges Helium aus. Aufgrund seiner sehr niedrigen Siedetemperatur (4,2 K) ist es die reinste zugngliche Flssigkeit und die Wechselwirkung mit anderen Atomen ist theoretisch relativ einfach zu beschreiben. Csium als Substrat zeichnet sich dadurch aus, da es neben Rubidium das einzige Substrat ist, auf welchem flssiges Helium einen Benetzungsbergang von der nicht benetzenden Phase bei tiefer Temperatur zur benetzenden Phase bei hherer Temperatur zeigt.
Zusammenfassung:
Zur Untersuchung der Benetzungseigenschaften wurden in einem neuaufgebauten Kryostatensystem erstmals mehrere, sich ergnzende Memethoden verwendet. Zum einen war dies die Oberflchenplasmonenmikroskopie, eine Standardmemethode in der Arbeitsgruppe von Prof. Leiderer. Mit ihr ist mglich lokal aufgelst Informationen ber die Dicke des Heliumfilmes auf dem Substrat zu erhalten. Die zweite Methode war eine Quarzwaage. Diese ist zur Untersuchung von Adsorptionsphnomenen weit verbreitet, und sollte dem Vergleich mit anderen Arbeitsgruppen dienen. Ergnzend war es mglich das System durch Photoelektronenspektroskopie zu untersuchen. Dadurch erhielt ich Informationen ber die Reinheit des Csium-Substrats und hatte auch bei sehr dnnen He-Filmen (1-3 Monolagen Helium) eine sehr hohe Empfindlichk