Badanie DPM w rożnie domieszkowanych nanocząstkach lutu SAC305 bez Pb

Wczenie nanoczstek do lutu bezoowiowego, trajektoria nanoczstek podczas procesu lutowania musi by monitorowana, poniewa bdzie miaa wpyw na tworzenie si wysokoci spoiny, warstwy zwizkw midzymetalicznych (IMC) i tworzenie si mikro pustek. Dwukierunkowe interakcje wykorzystujce zarwno metod objtoci pynu (VOF) jak i metod fazy dyskretnej (DPM) zostay wprowadzone w obecnym badaniu, aby uwzgldni interakcj pomidzy nanoczstkami i stopionym lutem. Nanoczstki wzmocnione, ktre s wprowadzane do lutu SAC305 to nanoczstki tlenku tytanu (TiO2), tlenku niklu (NiO) i tlenku elaza (III) (Fe2O3) o przyblionej rednicy 20nm w rnych procentach wagowych 0,01, 0,05 i 0,15 % mas.% do zastosowania w ultra drobnym kondensatorze typu 01005. Zarwno badania eksperymentalne jak i symulacyjne zostay przeprowadzone w celu porwnania wanoci nowej symulacji opartej na DPM. Wyniki uzyskane z eksperymentu mog skutecznie zobrazowa rozkad nanoczstek na kocu procesu rozpywowego. Symulacja DPM z drugiej strony jest w stanie pokaza szczegow trajektori nanoczstek w trakcie procesu rozpywu termicznego SAC305.