tude fondamentale des mcanismes physico-chimiques de gravure plasma

L'objectif de ce travail porte sur la gnralisation de la modlisation de la gravure du silicium dans les plasmas de fluor ou de chlore celle de la gravure des lments de la colonne IV et des composs III-V de structure cristalline de type diamant ou zinc-blende dans les plasmas d'halognes, i.e. fluor, chlore, brome et iode. Dans ce contexte, les effets striques et de diffusion en volume et/ou en surface en constituent les problmatiques principales. Cette gnralisation s'appuiesur le modle de gravure de Petit et Pelletier qui, par rapport aux modles antrieurs, prend en compte un certain nombre d'hypothses distinctes ou additionnelles telles que les interactions rpulsives entre adatomes d'halognes proches voisins, les mcanismes de Langmuir-Hinshelwood pour la formationdes produits de raction, la nature mono-couche ou multi-couches de l'adsorption, et la diffusion des adatomes en surface.