Struktury Na Osnove Dioksida Vanadiya

V knige predstavleny rezul'taty issledovaniy fazovogo perekhoda metall-poluprovodnik i yavleniya elektricheskogo pereklyucheniya v oksidakh perekhodnykh metallov. V prikladnom aspekte MOP struktury na osnove oksidov perekhodnykh metallov, obladayushchie pereklyucheniem s vol'tampernoy kharakteristikoy S-tipa, perspektivny s tochki zreniya ispol'zovaniya ikh v kachestve razlichnykh elektronnykh ustroystv i chuvstvitel'nykh elementov sensornykh sistem. Opredelyaetsya eto ikh malymi razmerami, sendvich-konfiguratsiey, sovmestimoy s sovremennoy integral'noy tekhnologiey, a takzhe - vysokim bystrodeystviem i nizkoy porogovoy moshchnost'yu. Opredelyennyy interes dlya prilozheniy predstavlyayut takzhe tryekhelektrodnye struktury Si - SiO2 - VO2, v kotorykh mogut byt' realizovany effekty tiristornogo i tranzistornogo tipa. Tak zhe izucheny osobennosti modifikatsii elektricheskikh svoystv anodnykh plenok dioksida vanadiya pod deystviem elektronnoluchevogo oblucheniya, poluchennye rezul'taty mogut byt' ispol'zovany dlya sozdaniya mikropereklyuchatel'nykh struktur s odinakovymi porogovymi kharakteristikami.