Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Häftad, Engelska, 2016
2 029 kr
Beställningsvara. Skickas inom 10-15 vardagar. Fri frakt för medlemmar vid köp för minst 249 kr.
Finns i fler format (1)
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
Produktinformation
- Utgivningsdatum2016-08-23
- Mått168 x 240 x 15 mm
- Vikt455 g
- FormatHäftad
- SpråkEngelska
- SerieComputational Microelectronics
- Antal sidor252
- FörlagSpringer Verlag GmbH
- ISBN9783709119334
Tillhör följande kategorier
Hoppa över listan
Mer från samma serie
Simulation of Semiconductor Devices and Processes
Siegfried Selberherr, Hannes Stippel, Ernst Strasser
Inbunden
1 099 kr
Stationary Semiconductor Device Equations
P.A. Markowich, P. a. Markowich, P. A. Markowich
Häftad
1 369 kr
Deterministic Solvers for the Boltzmann Transport Equation
Sung-Min Hong, Anh-Tuan Pham, Christoph Jungemann
Inbunden
1 369 kr
Hoppa över listan
Du kanske också är intresserad av
Deterministic Solvers for the Boltzmann Transport Equation
Sung-Min Hong, Anh-Tuan Pham, Christoph Jungemann
Häftad
1 369 kr