Realisation et etude de structure en couches minces

Ce livre est consacr l'tude de la cristallisation des couches minces de silicium amorphe induit par un mtal : Nickel. La diffusion du nickel dans les couches minces de silicium est recherche de faon conduire la formation de siliciure de Ni qui a permis de cristalliser le silicium amorphe en couche mince qui a t dpose par la technique PECVD.Dans un premier temps nous avons prsent le silicium comme matire de base, le silicium poreux ainsi que les diffrentes mthodes de croissance des couches minces et leurs techniques de cristallisation.Dans un second temps nous avons prsent en dtaille les conditions de prparation des chantillons :1. Elaboration du silicium poreux par la mthode d'anodisation lectrochimique.2. Mtallisation su silicium poreux par une solution de Nickel de concentration bien dterminer (Dip-coting).3. Dpt d'une couche de a-si : H par la technique PECVD.4. La cristallisation des chantillons a t ralise dans un four RTP.Dans la partie suivante de ce livre nous sommes intresse l'tude des couches minces de a-Si : H mtallis par Ni.