Photoluminescence R solue En Temps de Puits Quantiques Gan/Algan

Nous tudions, par photoluminescence rsolue en temps, des puits quantiques GaN/AlGaN, labors en pitaxie par jet molculaire (EJM). Ces systmes sont le sige de champs lectriques internes de l'ordre du MV/cm, dus la pizolectricit et la polarisation spontane, qui influent fortement sur le temps de vie radiatif des excitons. Le dsaccord entre les temps de vie calculs dans le formalisme de la fonction enveloppe et les temps de dclin de photoluminescence exprimentaux indique qu'il existe des phnomnes non radiatifs dont l'efficacit crot exponentiellement lorsqu'on rduit la largeur de barrire dans les chantillons multipuits quantiques. Nous montrons galement, par une approche exprimentale et thorique, comment la faible extension spatiale de l'exciton tend le localiser sur les rugosits d'interface basse temprature. Cette localisation, comparable celle qui intervient dans des systmes plus complexes comme les puits quantiques InGaN/GaN, est susceptible protger l'exciton de la capture par les centres non radiatifs que sont les dislocations traversantes.