Opredelenie kontsentratsii primesey v ochishchennykh poluprovodnikakh Ge i Si

Sredi bol'shogo klassa poluprovodnikovykh materialov sushchestvuet nebol'shoe kolichestvo elementov, fizicheskie yavleniya v kotorykh, ne smotrya na bolee chem poluvekovuyu istoriyu issledovaniya, yavlyayutsya predmetom postoyannogo vsestoronnego vnimaniya. K nim otnosyatsya te poluprovodniki, tekhnologiya polucheniya kotorykh pozvolyaet sozdat' sovershennye po strukture monokristally s malym soderzhaniem ostatochnykh primesey, chto pozvolyaet provodit' lyuboe dozirovannoe legirovanie i kompensatsiyu, to est' sozdanie poluprovodnikov s zadannymi parametrami. Poslednee obespechivaet, s odnoy storony, shirokoe prakticheskoe ispol'zovanie etikh materialov, s drugoy - pozvolyaet modelirovat' tselyy ryad fizicheskikh yavleniy.Kniga soderzhit tselyy ryad parametrov i koeffitsientov dlya Ge i Si, znacheniya kotorykh byli utochneny v rezul'tate mnogokratnykh izmereniy bol'shogo chisla obraztsov (bolee 200) v shirokom diapazone znacheniy kontsentratsii primesi i stepeni ikh kompensatsii. Eta informatsiya mozhet byt' osobenno polezna tem nauchnym sotrudnikam i aspirantam, kotorye zanimayutsya poluprovodnikovoy metrikoy, tekhnologam, poluchayushchim eti materialy i kontroliruyushchim ikh kachestvo, a takzhe studentam, interesuyushchimsya poluprovodnikovoy tematikoy.