Mise Au Point d'Un Reacteur Epitaxial CBE

Ce travail consiste l'asservissement et la mise en marche d'un racteur d'pitaxie par jets chimiques au Laboratoire d'pitaxie Avance de l'Universit de Sherbrooke. Le racteur sert la croissance dans l'ultravide de matriaux semi-conducteurs tels que l'arsniure de gallium (GaAs) et le phosphure d'indium-gallium (GaInP). La programmation LabVIEW et du matriel informatique de National Instruments sont utiliss pour asservir entre autres l'injection des gaz et la temprature d'opration. Des amliorations apportes au racteur sont dcrites, notamment les systmes d'injection et de pompage. Des croissances de GaAs(100) sur substrat de mme nature rvlent un matriau de bonne qualit. La rugosit et le comportement en dopage p et n sont rapports. De mme, les proprits de GaInP sur GaAs, premier matriau ternaire cr au laboratoire, sont rapportes. Finalement, la mise en marche du racteur d'pitaxie par jets chimiques permet maintenant cinq tudiants gradus de faire progresser des projets relis directement la croissance pitaxiale au Laboratoire d'pitaxie Avance de l'Universit de Sherbrooke.