Issledovanie Radiatsionnoy Stoykosti Svetodiodov

Monografiya posvyashchena issledovaniyu radiatsionnoy degradatsii i otsenki radiatsionnoy stoykosti svetodiodov na razlichnykh poluprovodnikovykh materialakh. Rassmotreny svetodiody, kak pervogo pokoleniya na GaP (krasnogo i zhyelto-zelyenogo tsveta svecheniya), tak i novogo pokoleniya na baze troynykh (AlGaAs, GaAsP) i chetvernykh tverdykh rastvorov (AlInGaP, AlInGaN). Znachitel'naya chast' raboty posvyashchena razrabotke matematicheskoy modeli obluchennykh gomo- i geterostruktur na baze diffuzionnykh teoriy dvoynoy inzhektsii, podrobno proanalizirovany mekhanizmy degradatsii dannykh SID. Vyvedeny analiticheskie zavisimosti sily sveta ot toka, napryazheniya i flyuensa oblucheniya, chto pozvolyaet kolichestvenno otsenit' radiatsionnuyu stoykost' vsekh issledovannykh gomo- i geterostruktur. Rezul'taty issledovaniy mogut byt' ispol'zovany spetsialistami, zanimayushchiesya konstruirovaniem, proizvodstvom i primeneniem izdeliy optoelektroniki, svetodiodov, tsifro-znakovykh indikatorov i tverdotel'nykh izluchateley.