Irradiation lectronique MeV des htrostructures de Si

La gnration de dfauts de rayonnement par irradiation d'lectrons MeV de haute nergie de la structure Si-SiO2 de type n et p avec diffrents types d'oxydes a t tudie. Les changements morphologiques de l'oxyde de SiO2 pendant l'irradiation d'lectrons MeV ont t observs par l'AFM. Les structures Si-SiO2 implantes avec des ions Si+ avant et aprs l'irradiation d'lectrons MeV sont prsentes. La redistribution des atomes d'oxygne et de silicium et la gnration de nanocristaux de Si pendant l'irradiation d'lectrons MeV ont t observes par les techniques RBS/C et AFM respectivement. Les proprits optiques, la photoluminescence et les tudes spectroscopiques des films de SiOx irradis par des lectrons MeV sont galement prsentes.