Implantation, Diffusion Et Activation Des Dopants Dans Le Germanium

Le germanium est un candidat pour la ralisation des futurs transistors MOS, du fait de la plus grande mobilit des porteurs par rapport au silicium. Il a t abandonn il y a une quarantaine d'annes au profit du silicium et doit donc tre redcouvert. Le but de ce travail est de comprendre les mcanismes mis en jeu au cours du dopage du germanium. Il est d'abord vrifi que le modle de la densit d'nergie critique permet de prdire la formation et l'extension des couches amorphes dans le germanium. La vitesse d'pitaxie en phase solide est ensuite mesure et pour la premire fois dans le germanium, des dfauts end-of-range sont observs. Ceux-ci sont de nature interstitielle. Le phosphore enfin permet d'obtenir des jonctions plus fines et de meilleurs niveaux d'activation que l'arsenic. Sa diffusion est simule, avec un modle prenant en compte l'excs d'interstitiels gnr par implantation. Un phnomne de diffusion acclre est ainsi mis en vidence.