H t rostructures Gan/ALN Champ lectrique Interne R duit

Ce travail traite de la croissance et des propriétés optiques d'hétérostructures GaN/AlN à champ électrique interne réduit, déposées sur SiC par épitaxie par jets moléculaires assistée par plasma. Nous avons d'abord étudié les propriétés de structures GaN/AlN en phase wurtzite déposées sur SiC (11-20) ou plan a. À l'inverse de l'orientation (0001), la croissance du GaN sur l'AlN en conditions d'excès de Ga permet de former des boîtes quantiques de GaN par le mode Stranski-Krastanow, et la croissance en conditions d'excès d'azote aboutit à la formation de puits quantiques de GaN. Dans les deux cas, la morphologie des couches est influencée à la fois par l'anisotropie de la couche tampon d'AlN sous-jacente et par la polarité du matériau. Des études optiques ont montré une forte réduction du champ électrique interne par rapport à l'orientation (0001). Enfin, nous avons étudié les propriétés des nitrures en phase zinc-blende. Nous avons déterminé les paramètres permettant de contrôler la formation des boîtes quantiques de GaN/AlN, en insistant sur le rôle de la rugosité de l'AlN. Des études optiques ont révélé une polarisation de la photoluminescence des boîtes à température ambiante.