Estudo do ponto invariante com a temperatura ZTC

Neste trabalho apresentado um estudo do ponto ZTC ("Zero Temperature Coefficient") em dispositivos SOI MOSFETs, funcionando em modo parcialmente (PD-SOI) e totalmente (FD-SOI) depletados. O estudo realizado a partir de um modelo analtico simples, proposto para determinao da tenso de polarizao da porta do transistor no ponto ZTC (VZTC), atravs dos modelos de primeira ordem das caractersticas da corrente de dreno (IDS) em funo da tenso aplicada a porta (VGF) do transistor, considerando as regies de operao linear e de saturao. Para a validao do modelo, os resultados obtidos so confrontados com dados experimentais, e foi obtido um bom ajuste dos valores, apesar das simplificaes adotadas para o modelo proposto. Os resultados do modelo proposto foram avaliados com dados experimentais de outras tecnologias SOI MOSFET. Tambm foi obtido um bom ajuste com os valores para as tecnologias GC-SOI e GC-GAA SOI, operando em regime linear e saturao.