Epitaxie de Phosphures Grande chelle

La monte en frquence des composants renforce l'intrt pour les semi-conducteurs phosphors. Le dveloppement des cellules source solide de phosphore avec vanne et craqueur permet d'envisager des perspectives industrielles pour l'Epitaxie par Jets Molculaires (EJM), face la concurrence du dpt chimique en phase vapeur. C'est l'objectif du laboratoire commun P-Taxy entre Riber et l'IEMN, au sein duquel s'est droule cette thse. Plusieurs aspects de l'EJM de composs phosphors ont t tudis dans un bti de grand volume. Les interfaces phosphures sur arsniures ont t caractrises, mettant en vidence le faible effet mmoire du bti et des interfaces de bonne qualit pour des arrts de croissance courts voire nuls. Le fort dopage "p" de l'InGaAs a t ralis au moyen d'une source de CBr4, avec une faible diffusion des dopants et une jonction p-n proche de l'idalit. Les flux de cellules d'EJM ont t modliss par la mthode de Monte Carlo, afin d'identifier les paramtres gomtriques permettant d'obtenir une bonne uniformit et une stabilit du flux en intensit.