Element Reram Na Osnove Nestekhiometricheskikh Anodnykh Oksidov Niobiya

Kniga posvyashchena razrabotke i issledovaniyu prototipa elementa ReRAM (memristora) na osnove bipolyarnogo rezis-tivnogo pereklyucheniya v nestekhiometricheskikh anodnykh oksidnykh plenkakh niobiya. V rabote privoditsya obzor literatury po izuchaemoy probleme, predstavleny rezul'taty poetapnoy razrabotki i eksperimental'nogo issledovaniya prototipa memristora s tochki zreniya osobennostey tekhnologii ego polucheniya, prisushchikh emu svoystv i kharakteristik, analiza vliyaniya vneshnikh i vnutrennikh faktorov i dr. Itogom raboty yavlyaetsya vpervye razrabotannyy i issledovannyy prototip elementa pamyati ReRAM na osnove bipolyarnogo rezistivnogo pereklyucheniya v nestekhiometricheskikh anodnykh oksidnykh plen-kakh niobiya. Pokazany vysokaya prakticheskaya znachimost' i per-spektivnost' dannogo vida pereklyucheniya dlya razrabotki ReRAM, opredeleny dal'neyshie napravleniya issledovaniy.