Composants Pour La G n ration Et La D tection d''impulsions T rahertz

Le domaine de fr quences t rahertz fait la liaison entre le monde des transistors et des lasers. Malgr les nombreuses applications possibles, il n'existe pas, l'heure actuelle, de source t rahertz compacte fonctionnant temp rature ambiante. De m me, pour la d tection d'impulsions t rahertz, il n'existe pas vraiment de syst mes satisfaisants pour des applications en t l communication. Nous avons tudi et caract ris la croissance du GaAsSb pitaxi basse temp rature afin d'obtenir un mat riau r sistif temps de vie des porteurs court pour l' laboration d'antennes photocondutrices et pour la g n ration d'impulsions t rahertz. En compl ment, nous avons galement r alis des photodiodes transport unipolaire en GaAsSb int gr es monolithiquement avec une antenne t rahertz large bande. Pour la d tection d'impulsions t rahertz, nous avons con u et simul un monostable base de diode effet tunnel r sonnant.